холлівська різниця потенціалів поміщається перпендикулярний магнітна індукція ширина пластини однорідний ток концентрація носіїв
холлівська різниця потенціалів поміщається перпендикулярний магнітна індукція ширина пластини однорідний ток концентрація носіїв
задача 10966
Тонка пластинка з кремнію шириною b = 2 см поміщена перпендикулярно лініям індукції однорідного магнітного поля (B = 0,5 Т). При щільності струму δ = 2 мкА/мм2, спрямованої уздовж пластини, холлівська різниця потенціалів виявилася UH = 2,8 В. Визначити концентрацію n носіїв струму.
задача 13549
Через перетин мідної пластинки товщиною d = 0,2 мм пропускається струм I = 6 А. Платівка поміщається в однорідне магнітне поле з індукцією B = 1 Тл, перпендикулярне ребру пластинки і напрямку струму. Вважаючи концентрацію електронів провідності рівною концентрації атомів, визначте поперечну (холловську) різницю потенціалів, що виникає в платівці. Щільність міді ρ = 8,93 г/см3.
задача 17009
Кремнієва пластина шириною b = 2 см поміщена в однорідне магнітне поле з індукцією В = 0,1 Тл перпендикулярно до ліній магнітної індукції. Холлівських різниця потенціалів Ux = 0,368 В виникає на гранях пластини при протіканні струму з щільністю j = 0,5 А/мм2 вздовж пластини. Визначити концентрацію носіїв струму.
задача 17095
По мідній пластині довжиною 10 см, шириною 2 см і товщиною 1 мм протікає електричний струм силою 4 А. Різниця потенціалів при цьому на кінцях пластини дорівнює 5·10–4 В. Якщо, не вимикаючи струму, помістити пластину у перпендикулярне їй (паралельне короткій стороні) однорідне магнітне поле з індукцією 0,1 Тл, то на протилежних бічних гранях виникне холлівська різниця потенціалів 5·10–8 В. Визначити концентрацію вільних електронів в міді і їх рухливість.
задача 19461
Тонка пластинка з кремнію шириною 3 мм поміщена перпендикулярно лініям індукції однорідного магнітного поля 0,5 Тл. При щільності струму 2 мкА/мм2 холлівська різниця потенціалів дорівнює 58 мВ. Визначте питому електропровідність напівпровідника і концентрацію вільних електронів і дірок. Рухливості носіїв зарядів: електронів μn = 0,13 м2/(В·с), дірок μp = 0,05 м2/(В·с). Ширина забороненої зони кремнію 1,1 еВ.
задача 19570
Тонка пластинка з германію шириною 2 мм поміщена перпендикулярно лініям індукції однорідного магнітного поля В = 0,4 Тл. При щільності струму δ = 3 мкА/мм2, спрямованої уздовж пластини, холлівська різниця потенціалів дорівнює 0,4 В. Визначити 1) концентрацію носіїв струму заряду; 2) питому електропровідність напівпровідника, якщо напруженість електричного поля 100 В/м.
задача 21772
Визначте величину холлівської різниці потенціалів, при якій сила Лоренца, що діє на носії струму, дорівнює 8·10–13 Н. Висота пластинки дорівнює 3,1 мм.
задача 22621
В однорідне магнітне поле з індукцією 0,4 Тл поміщена тонка пластинка розміром 15×4×2,5 мм3, виготовлена з германію. Магнітне поле перпендикулярно більшій грані платівки. У платівці тече струм, паралельний до довгої сторони. Визначте концентрацію вільних носіїв зарядів і питому електропровідність платівки, якщо холлівських різниця потенціалів дорівнює 2,5 мВ при щільності струму 15,5 мкА/мм2?
задача 22971
До кінців пластини з p-напівпровідника (висота d = 10 мм, довжина L = 100 мм) доклали різницю потенціалів U = 10 і помістили її в перпендикулярне однорідне магнітне поле з індукцією В = 0,1 Тл. При цьому виникає холівська різниця потенціалів ΔφХ = 0,1 В. Знайти концентрацію і рухливість дірок, якщо питомий опір напівпровідника дорівнює ρ = 2 Ом·мм.
задача 23527
Тонка пластинка з кремнію, шириною 3 мм вміщена перпендикулярно до ліній індукції однорідного магнітного поля (В = 0,5 Тл). При щільності струму 44,5 мкA/мм2, спрямованої вздовж пластини, холівська різниця потенціалів дорівнює 40 мВ. Визначте концентрацію носіїв заряду та питому електропровідність напівпровідника.
задача 24868
Через переріз металевої пластинки завтовшки d = 0,1 мм пропускається струм I = 10 А. Платівка зі струмом поміщена в магнітне поле з напруженістю H = 8·104 А/м, перпендикулярне напрямку струму та ребру пластинки. Визначте поперечну (холівську) різницю потенціалів, що виникає в пластинці, якщо число електронів в одиниці об'єму пластинки n = 9·1027 м–3.
задача 26386
Перпендикулярно однорідному магнітному полю, індукція якого дорівнює 0,1 Тл, поміщена тонка пластинка з домішкового кремнію. Ширина пластинки дорівнює 4 см. Визначити щільність струму, при якій холлівських різниця потенціалів досягне значення 0,5 В. Постійну Холла для кремнію прийняти рівною 0,3 м3/Кл.
Другие предметы